RFHIC, 世界最初 GaN ダイヤモンドトランジスター商業化…既存製品 4.5倍熱伝導
世界最初 大面積窒化ガリウム-ON-ダイヤモンド製造技術開発
コードレス通信装備用半導体専門企業 RFHICがアメリカボストンで開かれた “IEEE IMS”で窒化ガリウムダイヤモンド(GaN on Diamond) Wafer性能を実現して窒化ガリウムダイヤモンドトランジスター開発完了を公式化したと 18日明らかにした.
窒化ガリウムは全世界半導体で一番たくさん使うシリコーン素材より熱伝導率が良くてスイチング速度が早くて效率が良くて電力消費量が少ないという長所がある.
窒化ガリウム效率を極大化するために炭化誦素(SiC) 基板をたくさん使ったが RFHIC 街世界最初で 大面積商業用ダイヤモンド基板を適用した窒化ガリウム(GaN) on ダイヤモンドトランジスターを開発した. レーダー, 基地局, 電気自動車, 医療装備, RF エネルギーなど高い效率を要求する多くの製品に適用される予定だ.
窒化ガリウム(GaN)-on-ダイヤモンドトランジスターは既存炭化誦素トランジスターより熱伝導度は 4.5倍, 全力密度は 2倍以上高い. 単位長(mm)だ 22.5Wの出力を具現して世界最高記録を果たした.
ゾサムヨル RFHIC 会長は “2020年から GaN on Diamond トランジスターを大量生産してこれを 5G コードレス通信及び国防分野, 一歩進んで医療装備, RFエネルギー市場にも適用して RF マイクロウエーブ世界最高会社になるようにすること”と明らかにした. RFHIC 増えた現在 GaN on ダイヤモンド関連全世界 66件の特許を保有している.
https://www.asiae.co.kr/article/2019061815091360042
大韓民国の隠された戦略企業 RFHICは GaN トランジスターシェア世界 2位の企業, また GaN 全力半導体シェア世界 1位のアメリカ Creeの唯一の生産パートナーでもある. ファウェと三星電子の 5G用 GaN アンテナの素子だけでなく Creeがアメリカ国防企業に納品するアメリカ海軍 GaN レーダー用 素子一部も大韓民国の RFHICが製作したのが使われている.
https://www.cree.com/news-media/news/article/cree-announces-strategic-relationship-with-rfhic
http://rfhic.com/eng/app/slist.html?cidx=6
http://www.thelec.kr/news/articleView.html?idxno=5209
RFHICはまた大韓民国陸軍 対砲兵レーダー IIの Cバンド GaN 素子を製造して供給しているし, FFX-B3の GaN も RFHICが製作して供給する. FFX-B3 以後発売開始される KDDXは RFHICが世界最初で開発, 実用化一次世代全力半導体 GaN-on-Diamondを採用する予定.
大韓民国のレーダー技術力はもうチォックバリが眺めにくい所まで到逹している. ^ ^
Models of two new integrated mast designs for South Korea"s Next-Generation Destroyer (KDDX) programme were shown by LIG Nex1 and Hanwha Defense at the MADEX show in Busan.
The separately developed designs incorporate a range of sensors - most prominently fixed X- and S-band multifunction radar arrays (MFRs) - and communications, electronic support measures, and electronic countermeasure system antennas within an enclosed mast structure.
Hanwha"s design is an evolution of the integrated mast developed for the Republic of Korea Navy"s (RoKN"s) FFX Batch III frigate programme, while LIG Nex1"s version is a clean sheet design.
Both MFR designs are based on Gallium Nitride (GaN) technologies, with using “GaN on Diamond” high electron mobility transistors.
https://www.janes.com/article/92130/madex-2019-integrated-mast-options-emerge-for-korea-s-kddx
RFHIC, 세계 최초 GaN 다이아몬드 트랜지스터 상업화…기존 제품 4.5배 열전도
세계최초 大면적 질화갈륨-ON-다이아몬드 제조 기술 개발
무선통신 장비용 반도체 전문기업 RFHIC가 미국 보스턴에서 열린 "IEEE IMS"에서 질화갈륨 다이아몬드(GaN on Diamond) 웨이퍼 성능을 실현하고 질화갈륨 다이아몬드 트랜지스터 개발 완료를 공식화했다고 18일 밝혔다.
질화갈륨은 전 세계 반도체에서 제일 많이 사용하는 실리콘 소재보다 열전도율이 좋고 스위칭 속도가 빨라서 효율이 좋으며 전력소비량이 적다는 장점이 있다.
질화갈륨 효율을 극대화하기 위해 탄화규소(SiC) 기판을 많이 사용했는데 RFHIC 가 세계 최초로 大면적 상업용 다이아몬드 기판을 적용한 질화갈륨(GaN) on 다이아몬드 트랜지스터를 개발했다. 레이더, 기지국, 전기자동차, 의료장비, RF 에너지 등 높은 효율을 요구하는 여러 제품에 적용될 예정이다.
질화갈륨(GaN)-on-다이아몬드 트랜지스터는 기존 탄화규소 트랜지스터보다 열전도도는 4.5배, 전력밀도는 2배 이상 높다. 단위 길이(mm)당 22.5W의 출력을 구현하여 세계 최고 기록을 달성했다.
조삼열 RFHIC 회장은 “2020년부터 GaN on Diamond 트랜지스터를 대량 생산해 이를 5G 무선통신 및 국방분야, 더 나아가서 의료장비, RF에너지 시장에도 적용해 RF 마이크로웨이브 세계 최고 회사가 되도록 할 것”이라고 밝혔다. RFHIC 는 현재 GaN on 다이아몬드 관련 전 세계 66건의 특허를 보유하고 있다.
https://www.asiae.co.kr/article/2019061815091360042
대한민국의 숨겨진 전략 기업 RFHIC는 GaN 트랜지스터 점유율 세계 2위의 기업, 또한 GaN 전력 반도체 점유율 세계 1위인 미국 Cree의 유일한 생산 파트너이기도 하다. 화웨이와 삼성전자의 5G用 GaN 안테나의 소자 뿐만 아니라 Cree가 미국 국방기업에 납품하는 미국 해군 GaN 레이더用 소자 일부도 대한민국의 RFHIC가 제작한 것이 사용되고 있는.
https://www.cree.com/news-media/news/article/cree-announces-strategic-relationship-with-rfhic
http://rfhic.com/eng/app/slist.html?cidx=6
http://www.thelec.kr/news/articleView.html?idxno=5209
RFHIC는 또한 대한민국 육군 對포병 레이더 II의 C밴드 GaN 소자를 제조해 공급하고 있으며, FFX-B3의 GaN 역시 RFHIC가 제작해 공급한다. FFX-B3 이후 출시되는 KDDX는 RFHIC가 세계최초로 개발, 실용화 한 차세대 전력 반도체 GaN-on-Diamond를 채용할 예정.
대한민국의 레이더 기술력은 이미 가 쳐다보기 어려운 곳까지 도달하고 있다. ^ ^
Models of two new integrated mast designs for South Korea"s Next-Generation Destroyer (KDDX) programme were shown by LIG Nex1 and Hanwha Defense at the MADEX show in Busan.
The separately developed designs incorporate a range of sensors - most prominently fixed X- and S-band multifunction radar arrays (MFRs) - and communications, electronic support measures, and electronic countermeasure system antennas within an enclosed mast structure.
Hanwha"s design is an evolution of the integrated mast developed for the Republic of Korea Navy"s (RoKN"s) FFX Batch III frigate programme, while LIG Nex1"s version is a clean sheet design.
Both MFR designs are based on Gallium Nitride (GaN) technologies, with using "GaN on Diamond" high electron mobility transistors.
https://www.janes.com/article/92130/madex-2019-integrated-mast-options-emerge-for-korea-s-kddx