캐논은 2023년 10월, 나노 흔적 리소그래피(NIL) 기술을 이용한 반도체 제조 장치 「FPA-1200 NZ2C」를 발매했다.최소 선폭 14 nm의 패턴 형성이 가능하고, 마스크를 개량하면 최소 선폭 10 nm레벨에도 대응할 수 있다고 한다.
NIL 기술을 이용한 반도체 제조 장치는, 회로 패턴이 새겨진 마스크를, 웨퍼상의 레지스터에 꽉 눌러 회로 패턴을 형성한다.종래의 투영 노광 장치에서는 다수의 렌즈를 개입시켜 빛을 조사해, 회로 패턴을 레지스터에 새기고 있었지만, NIL 기술을 이용하면 투영용의 광학계가 불필요하게 된다고 한다.
신제품은, 잉크젯 프린터로 기른 잉크 토출 기술을 응용했다.이것에 의해, 회로 패턴에 맞추어 레지스터를 적당량 한편 정확한 위치에 도포할 수 있다.그 후, 레지스터가 도포된 웨퍼에 맞추어 올바른 위치에서 한코와 같이 마스크를 꽉 눌러 노광한다.복잡한 이차원, 삼차원의 회로 패턴을 1회의 흔적으로 형성할 수 있다고 한다.
최첨단 반도체 제조에는, 네델란드 ASML의 극단 자외선(EUV) 노광 장치가 필수였던 것이 향후 한층 더 개발이 진행되면네델란드 ASML의 일강체제가 무너지는군요.
キヤノンは2023年10月、ナノインプリントリソグラフィ（NIL）技術を用いた半導体製造装置「FPA-1200NZ2C」を発売した。最小線幅14nmのパターン形成が可能で、マスクを改良すれば最小線幅10nmレベルにも対応できるという。
NIL技術を用いた半導体製造装置は、回路パターンが刻み込まれたマスクを、ウエハー上のレジストに押し付けて回路パターンを形成する。従来の投影露光装置では多数のレンズを介して光を照射し、回路パターンをレジストに焼き付けていたが、NIL技術を用いると投影用の光学系が不要になるという。
新製品は、インクジェットプリンターで培ったインク吐出技術を応用した。これにより、回路パターンに合わせ、レジストを適量かつ正確な位置に塗布できる。その後、レジストが塗布されたウエハーに合わせ、正しい位置でハンコのようにマスクを押し付け露光する。複雑な二次元、三次元の回路パターンを1回のインプリントで形成できるという。
また、1nm以下の精度で位置を計測しマスクとウエハーを重ね合わせる位置制御技術や、微小な粒子のゴミを除去する環境制御技術などを採用している。パターン形成時の消費電力も、従来の投影露光装置に比べ、約10分の1まで削減できるという。
最先端半導体製造には、オランダASMLの極端紫外線（EUV）露光装置が必須だったのが今後さらに開発が進めばオランダASMLの一強体制が崩れますね。