台湾TSMC、サムスンを尻目に440億ドル投資
サムスンも超微細工程技術で対決…半導体ファウンドリ覇権競争激化
グローバル半導体ファウンドリ（委託生産）企業1位の台湾TSMCが今年、過去最大額の440億ドル（約5兆210億円）の設備投資を断行し、市場支配力拡大に乗り出す。昨年の投資額300億ドル（約3兆4230億円）より47％も多い額だ。
TSMCは13日（現地時間）、「今年、台湾南部と米アリゾナ州のライン建設などに400億－440億ドル（約4兆5650億－5兆210億円）を執行するだろう」「このうち70－80％を超微細工程である2・3・5・7ナノメートル（nm＝1nmは10億分の1メートル）工程開発に投入する」と明らかにした。TSMCの魏哲家最高経営責任者（CEO）は「景気後退の懸念があっても、半導体産業に対する需要は続くと自信を持っている」と語った。
このため、半導体業界では、TSMCが投資を大幅に拡大し、業界2位のサムスン電子を引き離そうとしている、との見方が出ている。TSMCはファウンドリ市場全体では占有率53.1％でサムスン電子（17.1％）を大きく上回っているが、7ナノ以下の超微細工程で見るとTSMCとサムスン電子のシェアはおよそ6対4だ。つまり、超微細工程ラインに対し大規模投資をすることにより、アップル・クアルコム・AMD・NVIDIAのような大型顧客企業をつなぎ止めようという戦略だということだ。
サムスン電子は今年、ファウンドリに15兆ウォン（約1兆4380億円）前後の施設投資を断行すると伝えられている。サムスン電子はTSMCより進んでいる超微細工程技術力を見せることで、投資額の差を克服する方針だ。サムスン電子は今年上半期に3ナノ半導体を世界で初めて量産し、2025年には2ナノ半導体生産に乗り出す計画だ。これは、今年下半期に3ナノ半導体を量産するTSMCの一歩先を行く計画日程となっている。半導体業界関係者は「サムスン電子がどれだけ早く3ナノ工程安定化に成功できるかがカギだ」と語った。
대만 TSMC, 삼성을 거들떠보지도 않고 440억 달러 투자
삼성도 초미세 공정 기술로 대결…반도체 파운드리 패권 경쟁 격화
글로벌 반도체 파운드리(위탁 생산) 기업 1위의 대만 TSMC가 금년, 과거 최대액수의 440억 달러( 약 5조 210억엔)의 설비 투자를 단행해, 시장 지배력 확대에 나선다.작년의 투자액 300억 달러( 약 3조 4230억엔)보다 47%나 많은 액이다.
TSMC는 13일(현지시간), 「금년, 대만 남부와 미국 애리조나주의 라인 건설 등에 400억-440억 달러( 약 4조 5650억-5조 210억엔)를 집행할 것이다」 「이 중70-80%를 초미세 공정인 2·3·5·7나노미터(nm=1 nm는 10억분의 1미터) 공정 개발에 투입한다」라고 분명히 했다.TSMC의 위철가 최고 경영 책임자(CEO)는 「경기후퇴의 염려가 있어도, 반도체 산업에 대한 수요는 계속 되면 자신을 가지고 있다」라고 말했다.
삼성 전자는 금년, 파운드리에 15조원( 약 1조 4380억엔) 전후의 시설 투자를 단행한다고 전하고 있다.삼성 전자는 TSMC보다 진행되고 있는 초미세 공정 기술력을 보이는 것으로, 투자액의 차이를 극복할 방침이다.삼성 전자는 금년 상반기에 3 나노 반도체를 세계에서 처음으로 양산해, 2025년에는 2 나노 반도체 생산에 나설 계획이다.이것은, 금년 하반기에 3 나노 반도체를 양산하는 TSMC의 한 걸음처를 갈 계획 일정이 되고 있다.반도체 업계 관계자는 「삼성 전자가 얼마나 빨리 3 나노 공정 안정화에 성공할 수 있을지가 열쇠다」라고 말했다.