MOSFET(金属-サンファマック半導体電界效果トランジスター) 開発者は強大院(Dawon Kahng) 博士とモハマドマーティンアタルだと(Mohamed Atalla) 博士です. これらは 1960年ベル研究所で勤めて MOSFETを最初に開発しました.
強大院博士は MOSFET 開発外にもフローティングゲート技術を発明して現代半導体技術発展に大きく寄与しました. 彼の業績を称えるために韓国半導体学術大会では “強大原状”が制定されて半導体研究者たちにお爺さんを与えています.
マーティンアタルだと博士とともに MOSFETを開発した功労で, 2000年ノーベル賞受賞者であるジャックキルビは自分のノーベル賞受賞所感で強大院博士の MOSFET 開発に対する寄与を言及したりしました.
よって, MOSFET 開発の主役は強大院博士とマーティンアタルだと博士であり, 強大院博士は特に韓国人として誇らしい半導体先駆者に評価を受けています
MOSFET 개발자는 한국인.
MOSFET(금속-산화막 반도체 전계 효과 트랜지스터) 개발자는 강대원(Dawon Kahng) 박사와 모하메드 마틴 아탈라(Mohamed Atalla) 박사입니다. 이들은 1960년 벨 연구소에서 근무하며 MOSFET을 최초로 개발했습니다.
강대원 박사는 MOSFET 개발 외에도 플로팅 게이트 기술을 발명하여 현대 반도체 기술 발전에 크게 기여했습니다. 그의 업적을 기리기 위해 한국반도체학술대회에서는 "강대원상"이 제정되어 반도체 연구자들에게 영감을 주고 있습니다.
마틴 아탈라 박사와 함께 MOSFET을 개발한 공로로, 2000년 노벨상 수상자인 잭 킬비는 자신의 노벨상 수상 소감에서 강대원 박사의 MOSFET 개발에 대한 기여를 언급하기도 했습니다.
따라서, MOSFET 개발의 주역은 강대원 박사와 마틴 아탈라 박사이며, 강대원 박사는 특히 한국인으로서 자랑스러운 반도체 선구자로 평가받고 있습니다