5年(2026‾2030) シナリオ
A. 内需防御 + 制限的輸出 (一番可能性高さ, 50‾60%)
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DRAM: CXMTの DDR5 梁山が 2025年末に持ち越された状態で収率と温度安全性問題を解決して, 16nm台基盤で国内用 PCと産業器機中心出荷拡大. HBMは 2027年 HBM3Eを目標にするが初期収率とパッケージング制約が大きくてグローバル大型 AI 顧客進入は制限的.
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NAND: YMTCは中国産装備ライン示範稼動で制裁耐久性を高めて, 200短大以上製品を内需と友好国に拡大. しかし国産装備の割合が高くなるほど収率と原価不利問題が残ってグローバルシェアはヒトケタ重厚反対が現実的.
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外甥変数: EUVと先端 DUV 統制, 装備サービス制限が持続して微細化と HBM 転換速度は構造的に遅い.
B. 部分突破 (可能性中間, 25‾30%)
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DRAM/HBM: 装備・公正国産化で一部実質成果が出て, パッケージングと積層技術で秘漂与えた AI メモリーを内需クルラウドに供給. グローバル HBM 需要急増が一部進入機会を開いてくれる.
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NAND: 国産装備ライン収率が改善すれば 3D NAND ビート出荷拡大とともに価格競争力一部回復.
C. 製造難航長期化 (可能性底さ, 15‾20%)
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DRAM: DDR5 梁山安定化が繰り返し引き延びになって, HBM ロードマップも延ばされて世代格差固着.
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NAND: 国産装備ラインが商業生産に到逹することができなくて原価と収率がグローバル備え劣位で固着.
10年(2031‾2035) シナリオ
1) 内需自立生態系完成 (可能性 35‾40%)
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装備, 素材, EDA, フゴングゾングまで内需中心バリューチェーンが自立. DDR6/LPDDR6 汎用では相変らず後発だが, 国内用・政府調逹・軍需・産業用需要で安定的な売上げ確保.
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HBMはグローバルトップ3街 HBM4 以上に打って出る間中国は一世代後製品を国内 AI アクセレレーターとパッケージ統合形態で供給.
2) 選択的追い越し (可能性 20‾25%)
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伝統的な微細化代わりにパッケージング, インターフェース, コントローラーなどで革新を試み. ファウェイなどシステム業社が HBM 依存度を減らす技術を常用化して AI 推論, エッジ, 専用 AI ワークロードで遠回り成果をおさめる.
3) 格差拡大固着 (可能性 35‾45%)
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先端リソグラフィ, フォトレジスト, 蝕刻, 蒸着, TSV 装備と部品, サービスがずっと遮られて世代格差が 2‾3世帯で起る. グローバル標準が HBM4 以上にますます輸出窓口がズルオドム.
失敗可能性が相変らず大きい理由
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装備・サービス接近制約: 装備購買だけではなく維持補修と部品供給制限が収率改善をのろくする.
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HBM 難易度: 公正とパッケージング皆最高難易度であり, 既存ビッグ3はもう HBM4 段階に進入.
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現時点技術・収率格差: DDR5 梁山がもう引き延びになった状態で格差が時間がたつほど大きくなる危険.
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NAND 国産化ラインの収率と原価問題: 初期には収率低下と費用上昇が不可避で損益防御がカギ.
突破を狙うことができる観戦ポイント
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規制変化可否
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HBM 一体または補完技術の商用化可能性
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国産装備ラインの商業収率確保時点
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HBM 市場成長速度と新規進入機会拡大可否
シナリオ DRAM グローバルシェア NAND グローバルシェア HBM グローバルシェア 中国内需 DRAM 自給率 累積 CAPEX(20262030) DDR5 梁山収率(多異) HBM ステック収率(初期) 3D NAND アレイ収率 DRAM 公正ノード(大略) HBM 世代(2030) 平均多異サイズ指数(=中国/善導) 原価格差(=中国-善導) A 内需防御+制限的輸出 35% 46% ≦2% 2540% 250400億ドル 7585% 3050% 8592% 1416nm級 HBM3E パイロット/制限的 1.3× +2035% B 部分突破 68% 79% 35% 4055% 350550億ドル 8590% 5070% 9095% 1214nm級 HBM3E 初期梁山 1.15× +1020% C 製造難航長期化 12% 23% 01% 1020% 150250億ドル 6075% 1030% 7585% 1618nm級 HBM2E/3 制限 1.5× +3560% シナリオ DRAM グローバルシェア NAND グローバルシェア HBM グローバルシェア 中国内需 DRAM 自給率 累積 CAPEX(20312035) DDR6/LPDDR6 収率(多異) HBM ステック収率(安定化) 3D NAND アレイ収率 DRAM 公正ノード(大略) HBM 世代(2035) 平均多異サイズ指数(=中国/善導) 原価格差(=中国-善導) 1 内需自立生態系 710% 810% 46% 5070% 400700億ドル 8592% 6075% 9296% 1012nm級 HBM4(一世代後) 1.2× +1020% 2 選択的追い越し 1013% 1012% 710% 6580% 600900億ドル 9095% 7085% 9497% 810nm級 HBM4E 初期/部分 1.051.10× 010% +3038% +3039% +3040% +3041% +3042% +3043% +3044% +3045% +3046% +3047% +3048% +3049% +3050% 
2030 vs 2035 中国メモリー産業シナリオ別シェア変化グラフを作りました.
DRAM・NAND・HBM それぞれに対して二つの時点のシェア推移をひと目に比べることができます.
5년(2026~2030) 시나리오
A. 내수 방어 + 제한적 수출 (가장 가능성 높음, 50~60%)
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DRAM: CXMT의 DDR5 양산이 2025년 말로 미뤄진 상태에서 수율과 온도 안정성 문제를 해결하고, 16nm대 기반으로 국내용 PC와 산업기기 중심 출하 확대. HBM은 2027년 HBM3E를 목표로 하나 초기 수율과 패키징 제약이 커 글로벌 대형 AI 고객 진입은 제한적.
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NAND: YMTC는 중국산 장비 라인 시범 가동으로 제재 내구성을 높이고, 200단대 이상 제품을 내수와 우호국에 확대. 그러나 국산 장비 비율이 높아질수록 수율과 원가 불리 문제가 남아 글로벌 점유율은 한 자릿수 중후반대가 현실적.
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외생 변수: EUV와 첨단 DUV 통제, 장비 서비스 제한이 지속되어 미세화와 HBM 전환 속도는 구조적으로 느림.
B. 부분 돌파 (가능성 중간, 25~30%)
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DRAM/HBM: 장비·공정 국산화에서 일부 실질 성과가 나오고, 패키징과 적층 기술로 비표준 AI 메모리를 내수 클라우드에 공급. 글로벌 HBM 수요 급증이 일부 진입 기회를 열어줌.
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NAND: 국산 장비 라인 수율이 개선되면 3D NAND 비트 출하 확대와 함께 가격 경쟁력 일부 회복.
C. 제조 난항 장기화 (가능성 낮음, 15~20%)
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DRAM: DDR5 양산 안정화가 반복 지연되고, HBM 로드맵도 늦춰져 세대 격차 고착.
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NAND: 국산 장비 라인이 상업 생산에 도달하지 못해 원가와 수율이 글로벌 대비 열위로 고착.
10년(2031~2035) 시나리오
1) 내수 자립 생태계 완성 (가능성 35~40%)
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장비, 소재, EDA, 후공정까지 내수 중심 밸류체인이 자립. DDR6/LPDDR6 범용에서는 여전히 후발이지만, 국내용·정부 조달·군수·산업용 수요로 안정적인 매출 확보.
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HBM은 글로벌 톱3가 HBM4 이상으로 치고 나가는 동안 중국은 한 세대 뒤 제품을 국내 AI 가속기와 패키지 통합 형태로 공급.
2) 선택적 추월 (가능성 20~25%)
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전통적인 미세화 대신 패키징, 인터페이스, 컨트롤러 등에서 혁신을 시도. 화웨이 등 시스템 업체가 HBM 의존도를 줄이는 기술을 상용화하여 AI 추론, 엣지, 전용 AI 워크로드에서 우회 성과를 거둠.
3) 격차 확대 고착 (가능성 35~45%)
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첨단 리소그래피, 포토레지스트, 식각, 증착, TSV 장비와 부품, 서비스가 계속 차단되어 세대 격차가 2~3세대로 벌어짐. 글로벌 표준이 HBM4 이상으로 갈수록 수출 창구가 줄어듦.
실패 가능성이 여전히 큰 이유
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장비·서비스 접근 제약: 장비 구매만이 아니라 유지보수와 부품 공급 제한이 수율 개선을 더디게 함.
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HBM 난이도: 공정과 패키징 모두 최고 난이도이며, 기존 빅3는 이미 HBM4 단계에 진입.
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현 시점 기술·수율 격차: DDR5 양산이 이미 지연된 상태에서 격차가 시간이 갈수록 커질 위험.
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NAND 국산화 라인의 수율과 원가 문제: 초기에는 수율 저하와 비용 상승이 불가피해 손익 방어가 관건.
돌파를 노릴 수 있는 관전 포인트
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규제 변화 여부
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HBM 대체 또는 보완 기술의 상용화 가능성
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국산 장비 라인의 상업 수율 확보 시점
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HBM 시장 성장 속도와 신규 진입 기회 확대 여부
시나리오 DRAM 글로벌 점유율 NAND 글로벌 점유율 HBM 글로벌 점유율 중국 내수 DRAM 자급률 누적 CAPEX(2026–2030) DDR5 양산 수율(다이) HBM 스택 수율(초기) 3D NAND 어레이 수율 DRAM 공정 노드(대략) HBM 세대(2030) 평균 다이 사이즈 지수(=중국/선도) 원가 격차(=중국-선도) A 내수 방어+제한적 수출 3–5% 4–6% ≤2% 25–40% 250–400억 달러 75–85% 30–50% 85–92% 14–16nm급 HBM3E 파일럿/제한적 1.3× +20–35% B 부분 돌파 6–8% 7–9% 3–5% 40–55% 350–550억 달러 85–90% 50–70% 90–95% 12–14nm급 HBM3E 초기 양산 1.15× +10–20% C 제조 난항 장기화 1–2% 2–3% 0–1% 10–20% 150–250억 달러 60–75% 10–30% 75–85% 16–18nm급 HBM2E/3 제한 1.5× +35–60% 시나리오 DRAM 글로벌 점유율 NAND 글로벌 점유율 HBM 글로벌 점유율 중국 내수 DRAM 자급률 누적 CAPEX(2031–2035) DDR6/LPDDR6 수율(다이) HBM 스택 수율(안정화) 3D NAND 어레이 수율 DRAM 공정 노드(대략) HBM 세대(2035) 평균 다이 사이즈 지수(=중국/선도) 원가 격차(=중국-선도) 1 내수 자립 생태계 7–10% 8–10% 4–6% 50–70% 400–700억 달러 85–92% 60–75% 92–96% 10–12nm급 HBM4(한 세대 뒤) 1.2× +10–20% 2 선택적 추월 10–13% 10–12% 7–10% 65–80% 600–900억 달러 90–95% 70–85% 94–97% 8–10nm급 HBM4E 초기/부분 1.05–1.10× 0–10% +30–38% +30–39% +30–40% +30–41% +30–42% +30–43% +30–44% +30–45% +30–46% +30–47% +30–48% +30–49% +30–50% 📊 2030 vs 2035 중국 메모리 산업 시나리오별 점유율 변화 그래프를 만들었습니다.
DRAM·NAND·HBM 각각에 대해 두 시점의 점유율 추이를 한눈에 비교할 수 있습니다.