強大院(1931年 5月 4日 1992年 5月 13日)固体電子工学分野で有名な韓国係アメリカ人伝記エンジニアと同時に発明家でした. 彼は 1959年仲間 Mohamed Atallaと一緒に MOSFET(金属-酸化物-半導体電界效果トランジスターまたは MOS トランジスター)を発明したことで一番よく知られています. Kahngと Atallaは MOSFET 半導体装置製造のための PMOS 及び NMOS 公正を皆開発しました. MOSFETは一番広く使われるトランジスター類型で大部分の最新電子装備の基本要素です.
Kahngと Atallaは後で MOS 集積回路の概念を提案したし 1960年代初にショトキダイオードとナノ層基盤トランジスターに対する先駆け的な作業を遂行しました. そんな後 Kahngは 1967年 Simon Min Szeとともにフローティングゲート MOSFET(FGMOS)を発明しました. Kahngと Szeは FGMOSが非揮発性メモリー(NVM) 及び再プログラミング可能な読み取り専用メモリー(ROM)のためのフローティングゲートメモリーセロ使われることができると提案したし, これは EPROM(erasable programmable ROM), EEPROM(電気的に消すことができるプログラミング可能な ROM) 及びフラッシュメモリー技術の基礎になりました. Kahngは 2009年アメリカ特許庁国立発明家名誉の殿堂にホンエックドエオッスブニだ.
강대원 (1931년 5월 4일 – 1992년 5월 13일)고체 전자 공학 분야에서 유명한 한국계 미국인 전기 엔지니어이자 발명가였습니다. 그는 1959년 동료 Mohamed Atalla와 함께 MOSFET(금속-산화물-반도체 전계 효과 트랜지스터 또는 MOS 트랜지스터)을 발명한 것으로 가장 잘 알려져 있습니다. Kahng과 Atalla는 MOSFET 반도체 장치 제조를 위한 PMOS 및 NMOS 공정을 모두 개발했습니다. MOSFET은 가장 널리 사용되는 트랜지스터 유형이며 대부분의 최신 전자 장비의 기본 요소입니다.
Kahng과 Atalla는 나중에 MOS 집적 회로의 개념을 제안했으며 1960년대 초에 쇼트키 다이오드와 나노층 기반 트랜지스터에 대한 선구적인 작업을 수행했습니다. 그런 다음 Kahng은 1967년 Simon Min Sze와 함께 플로팅 게이트 MOSFET(FGMOS)을 발명했습니다. Kahng과 Sze는 FGMOS가 비휘발성 메모리(NVM) 및 재프로그래밍 가능한 읽기 전용 메모리(ROM)를 위한 플로팅 게이트 메모리 셀로 사용될 수 있다고 제안했으며, 이는 EPROM(erasable programmable ROM), EEPROM(전기적으로 지울 수 있는 프로그래밍 가능한 ROM) 및 플래시 메모리 기술의 기초가 되었습니다. Kahng은 2009년 미국 특허청 국립 발명가 명예의 전당에 헌액되었습니다.