サムスン電子が4兆ウォン（約4240億円）をかけて独自開発したDRAM工程技術を中国に漏えいしたとして起訴されたサムスン電子とハイニックス半導体（現SKハイニックス）の元役員チェ・ジンソク被告が一審のソウル中央地裁の保釈決定で釈放されたことがこのほど判明した。
同地裁は9月15日、チェ被告の保釈を許可した。チェ被告は産業技術の流出防止および保護に関する法律違反などの罪で昨年9月に起訴され、今年3月にも追起訴された。刑事訴訟法は一審の勾留期限は6カ月となっており、拘留期限満了前に裁判所が職権で保釈を許可したものだ。
チェ被告と共に起訴されたサムスン電子の元首席研究員O被告は8月28日に保釈された。O被告は8月21日に保釈を申請し、裁判所が認めた。
2人の保釈条件は保証金1億ウォン、住居制限などだ。また、裁判所には決められた日時、場所に出頭しなければならず、出国時には裁判所の許可を受けなければならないほか、逃亡または証拠を隠滅する行為をしてはならない。共犯など事件関係者との接触も禁止され、リアルタイムで位置を追跡できる電子装置も装着している。
被告らが漏えいしたDRAM工程技術は、サムスン電子が開発した国家重要技術。検察によると、チェ被告は犯行の見返りとして、中国の半導体メーカーの株式860億ウォン相当を受け取り、報酬名目で18億ウォンの犯罪収益を得ていた。チェ被告がO被告と共同で経営していた中国の半導体メーカー、成都高真科技（CHJS）も法人として起訴されている。
イ・ソンモク記者
삼성 전자가 4조원( 약 4240억엔)을 들여 독자 개발한 DRAM 공정 기술을 중국에 누설했다고 해서 기소된 삼성 전자와 하이 닉스 반도체(현SK하이 닉스)의 전 임원 최·진소크 피고가 1심의 서울 중앙 지방 법원의 보석 결정으로 석방되었던 것이 이번에 판명되었다.
동지방 법원은 9월 15일, 최 피고의 보석을 허가했다.최 피고는 산업기술의 유출 방지 및 보호에 관한 법률위반등의 죄로 작년 9월에 기소되어 금년 3월에도 추가기소되었다.형사소송법은 1심의 구류 기한은 6개월이 되고 있어 구류 기한 만료전에 재판소가 직권으로 보석을 허가한 것이다.
최 피고와 함께 기소된 삼성 전자의 원수석 연구원 O피고는 8월 28일에 보석되었다.O피고는 8월 21일에 보석을 신청해, 재판소가 인정했다.
2명의 보석 조건은 보증금 1억원, 주거 제한 등이다.또, 재판소에는 결정할 수 있던 일시, 장소에 출두하지 않으면 안되어, 출국시에는 재판소의 허가를 받지 않으면 안 되는 것 외, 도망 또는 증거를 인멸 하는 행위를 해서는 안 된다.공범 등 사건 관계자와의 접촉도 금지되어 리얼타임에 위치를 추적할 수 있는 전자 장치도 장착하고 있다.
피고등이 누설한 DRAM 공정 기술은, 삼성 전자가 개발한 국가 중요 기술.검찰에 의하면, 최 피고는 범행의 담보로서 중국의 반도체 메이커의 주식 860억원 상당을 받아, 보수 명목으로 18억원의 범죄 수익을 얻고 있었다.최 피고가 O피고와 공동으로 경영하고 있던 중국의 반도체 메이커, 성도고진과학기술(CHJS)도 법인으로서 기소되어 있다.
이·손모크 기자