三星電子の前役員など国内半導体核心人力たちが中国メモリー半導体企業創新メモリーテクノロジー(CXMT)に 10ナノ台 Dラム国家核心技術を流出した疑いで裁判に越されました.
該当の技術流出で CXMTは中国が 10ナノ台 Dラム梁山に成功したし, 高域幅メモリー(HBM) 開発の基盤まで用意したことと調査されました.
기술유출 임직원 5명 구속.5명 불구속.
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삼성전자 전 임원 등 국내 반도체 핵심 인력들이 중국 메모리 반도체 기업 창신메모리테크놀로지(CXMT)에 10나노대 D램 국가핵심기술을 유출한 혐의로 재판에 넘겨졌습니다.
해당 기술 유출로 CXMT는 중국이 10나노대 D램 양산에 성공했으며, 고대역폭 메모리(HBM) 개발의 기반까지 마련한 것으로 조사됐습니다.