[単独]三星電子 20ナノ級 Dラム

開発 完了…¥"8月末梁山重み¥"

【 エングコメント 】
日本のLPに 25ナノ Dラムを開発したことと知られた中に今度は三星電子が 20ナノ級 Dラム開発に成功して早ければ 8月末梁山に入ります.
こういうわけで三星電子はもう一度世界競争で先に進んで行くようになりました.
強豪型記者が単独報道します.


【 記者 】
三星電子がもう今年初に 20ナノ級 Dラム開発を完了したし早い下半期に梁山に入ると業界関係者が明らかにしました.

専門家たちは ¥"早い下半期¥"と言えば 8月末梁山になると重さを加えました.

これによって三星電子が超微細公正である半導体開発競争にもう一度世界市場を主導するようになりました.

Dラムはコンピューターとスマトホンなどになくてはならない核心部品でメインメモリーで使われます.

現在三星電子とハイニクスはそれぞれ 35ナノ Dラムと 38ナノ Dラムを量産していて今度開発と梁山は本格的な 20ナノ級 Dラム時代開幕を意味します.

性能で計算すれば少なくとも 30% 以上高くなったことで保存空間で計算すれば同じ空間に 1ギガを保存したことを 1.3ギガを保存することができるようになったのです.

またもっと多いメモリーを保存することができるようになるによって価格競争力も生ずることと見込まれます.

一方, 日本の半導体生産企業エルピダは今日(3日) 日本経済新聞を通じて 25ナノ Dラムゲバルワンリョを明らかにしました.

しかし, 国内半導体業界では開発可否に対して半ば信じ半ば疑う姿です.

30ナノ級を飛び越えて 20ナノ級を開発することは不可能だという説明です.

実際にエルピダは去る 2009年 40ナノ級 Dラム梁山と今年の初 30ナノ級 Dラム生産計画を発表したが, 実行に移すことができません.

MBNニュース強豪型です. [blueghh@mbn.co.kr]

http://mbn.mk.co.kr/pages/news/newsView.php?category=mbn00003&news_seq_no=1056709

現在のサムスンの量産プロセスは、35nm。

それから30%面積が小さくなったのなら、√0.7 * 35nm=29nmですね。

今回の20nm級は、29nmということですよね。

記事中にサムスンは35nm、ハイニクスは38nmで量産中との事ですが、

エルピーダは30nmで量産中です。

ソース。最先端30nmプロセスDRAMの本格量産を開始
http://www.elpida.com/ja/news/2011/04-27.html

ということは・・・。

エルピーダ25nm（７月）
サムスン29nm【20nm級】（８月）
エルピーダ30nm（量産中）
サムスン35nm（量産中）
ハイニクス38nm（量産中）

と言う事ですね。