키오크시아는 203031년을 목표로, 메모리 셀의 적층수가 1000층을 넘는 NAND 플래쉬 메모리를 양산화한다.현행의 제8세대는 218층의 1 T(테라) 비트품으로, 적층수를 늘린 신세대품을 약 1년반 간격으로 투입한다.팁 면적 당의 비트 밀도를 높이는 목적이지만, 적층수가 증가하면 제조 프로세스의 난이도는 높아져 비용 증가의 요인이나 된다.얼마나 제조 코스트를 억제하면서 적층수를 늘리는지, 그 전략이 한국 Samsung Electronics(삼성 전자)등과의 시장쉐어 싸움을 좌우한다.
키오크시아 집행 임원 기술 통괄 책임자(CTO) 미야지마수사씨는 「 제71회 응용 물리학회 춘계 학술 강연회」(2024년 3월 2225일, 도쿄도 시립대학학)로 강연해, NAND 플래시의 1000층을 넘는 고적층화를 향한 기술 과제와 대책을 말했다.동사는 NAND 플래시의 개발과 생산을 미 Western Digital(웨스탄데지탈, WD)와 공동으로 다루고 있다.
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キオクシアは2030～31年をめどに、メモリーセルの積層数が1000層を超えるNANDフラッシュメモリーを量産化する。現行の第8世代は218層の1T（テラ）ビット品で、積層数を増やした新世代品を約1年半おきに投入する。チップ面積当たりのビット密度を高める狙いだが、積層数が増えると製造プロセスの難易度は高まりコスト増の要因ともなる。いかに製造コストを抑えつつ積層数を増やすか、その戦略が韓国Samsung Electronics（サムスン電子）などとの市場シェア争いを左右する。
キオクシア執行役員技術統括責任者（CTO）の宮島秀史氏は「第71回応用物理学会春季学術講演会」（2024年3月22～25日、東京都市大学）で講演し、NANDフラッシュの1000層を超えるような高積層化に向けた技術課題と対策を語った。同社はNANDフラッシュの開発と生産を米Western Digital（ウェスタンデジタル、WD）と共同で手がけている。
キオクシアがメモリーセルの積層数が1000層を超える目途が着い様ですね、サムスンの終わりがやってくるｗｗｗｗ