2027년의 상용화 목표, 실용성의 입증 과제
[서울 경제]다만, 해결해야 할 과제도 남아 있다.나노 흔적 방식은, 템플릿이 웨이퍼와 직접 접촉하기 위해(때문에), 불순물에 의한 결함이 발생하기 쉽고, 처리 속도를 높일 필요가 있다 기술적 난관이 있다.현재 키오키시아호르딘그스등이 검증용으로 도입한 것만으로, 실제의 양산 라인에게는 아직 적용되지 않았다.일본경제는 「기존의 반도체 공장이 노광 장치의 도입을 전제로 설계되고 있는 만큼, 나노 흔적이 채용되려면 , 공장의 신설시에 높은 경제성과 실용성을 입증해야 한다」라고 지적했다.
일본 기업이 첨단 반도체를 종래비소비 전력 10분의 1에 생산하는 기술을 개발해, 2027년의 상용화에 나선다.
9일, 일본의 동성애자 신문에 의하면, 다이니혼 인쇄(DNP)는, 캐논의 차세대 반도체 제조 장치인 「나노 흔적」에 탑재하는 1.4나노(nm) 급의 미세 회로 원판(템플릿)의 개발에 성공했다.
현재, 최첨단의 반도체 생산은 네델란드ASML의EUV(극히 자외선) 노광 장치가 독점하고 있다.이 장비는 빛을 공격하는 회로를 그리지만, 공정이 복잡하고 전력 소비가 크고, 1대 당 가격도 300억엔( 약 2800억원)에 이른다.한편,
1.4 나노 프로세스는, 인공지능(AI) 데이터 센터나 자율 주행 등 미래 산업의 핵심인 고성능 반도체 제조에 사용된다.각각 2027년과 2028년의 1.4 나노 양산을 목표로 하는 삼성 전자와TSMC도 나노 흔적 방식으로 관심을 나타내고 있는 것을 알았다고 일본경제는 전했다.
サムスン電子も求愛 超技術格差 ｗｗ＾＾ASML亜性挑戦場・・・EUVに比べコスト削減
2027年の商用化目標、実用性の立証課題日本DNPが開発した1.4nm半導体用テンプレート/ DNP
[ソウル経済]ただし、解決すべき課題も残っている。ナノインプリント方式は、テンプレートがウェハと直接接触するため、不純物による欠陥が発生しやすく、処理速度を高める必要がある技術的難関がある。現在キオキシアホールディングスなどが検証用に導入しただけで、実際の量産ラインにはまだ適用されていない。日経は「既存の半導体工場が露光装置の導入を前提に設計されているだけに、ナノインプリントが採用されるには、工場の新設時に高い経済性と実用性を立証しなければならない」と指摘した。
日本企業が先端半導体を従来比消費電力10分の1に生産する技術を開発し、2027年の商用化に乗り出す。
9日、日本のゲイ新聞によると、大日本印刷（DNP）は、キヤノンの次世代半導体製造装置である「ナノインプリント」に搭載する1.4ナノ（nm）級の微細回路原版（テンプレート）の開発に成功した。
現在、最先端の半導体生産はオランダASMLのEUV（極紫外線）露光装置が独占している。この装備は光を撃つ回路を描くが、工程が複雑で電力消費が大きく、１台当たり価格も３００億円（約２８００億ウォン）に達する。一方、DNPとキヤノンが推進するナノインプリント方式は、塗装のようにウエハに回路を押しつける技術です。EUVに比べて消費電力を大幅に削減することができるだけでなく、機器導入コストも1台あたり数十億円水準でASML機器よりも安く、製造コストを大幅に下げることができる。これまでは2ナノなどの先端半導体には対応できなかった。DNPは微細プロセス技術を高度化し、2027年から該当部品を本格的に量産する計画だ。
1.4ナノプロセスは、人工知能（AI）データセンターや自律走行など未来産業の核心である高性能半導体製造に使用される。それぞれ2027年と2028年の1.4ナノ量産を目指すサムスン電子とTSMCもナノインプリント方式に関心を示していることが分かったと日経は伝えた。
2027年の商用化目標、実用性の立証課題
[ソウル経済]ただし、解決すべき課題も残っている。ナノインプリント方式は、テンプレートがウェハと直接接触するため、不純物による欠陥が発生しやすく、処理速度を高める必要がある技術的難関がある。現在キオキシアホールディングスなどが検証用に導入しただけで、実際の量産ラインにはまだ適用されていない。日経は「既存の半導体工場が露光装置の導入を前提に設計されているだけに、ナノインプリントが採用されるには、工場の新設時に高い経済性と実用性を立証しなければならない」と指摘した。
日本企業が先端半導体を従来比消費電力10分の1に生産する技術を開発し、2027年の商用化に乗り出す。
9日、日本のゲイ新聞によると、大日本印刷（DNP）は、キヤノンの次世代半導体製造装置である「ナノインプリント」に搭載する1.4ナノ（nm）級の微細回路原版（テンプレート）の開発に成功した。
現在、最先端の半導体生産はオランダASMLのEUV（極紫外線）露光装置が独占している。この装備は光を撃つ回路を描くが、工程が複雑で電力消費が大きく、１台当たり価格も３００億円（約２８００億ウォン）に達する。一方、DNPとキヤノンが推進するナノインプリント方式は、塗装のようにウエハに回路を押しつける技術です。EUVに比べて消費電力を大幅に削減することができるだけでなく、機器導入コストも1台あたり数十億円水準でASML機器よりも安く、製造コストを大幅に下げることができる。これまでは2ナノなどの先端半導体には対応できなかった。DNPは微細プロセス技術を高度化し、2027年から該当部品を本格的に量産する計画だ。
1.4ナノプロセスは、人工知能（AI）データセンターや自律走行など未来産業の核心である高性能半導体製造に使用される。それぞれ2027年と2028年の1.4ナノ量産を目指すサムスン電子とTSMCもナノインプリント方式に関心を示していることが分かったと日経は伝えた。