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한국 기업, 세계 유일 GaN-on-Diamond 상업화 성공

조회수 : 3,503
2393318 JA 255







RFHIC, 세계 최초 GaN 다이아몬드 트랜지스터 상업화…기존 제품 4.5배 열전도

세계최초 大면적 질화갈륨-ON-다이아몬드 제조 기술 개발


무선통신 장비용 반도체 전문기업 RFHIC가 미국 보스턴에서 열린 "IEEE IMS"에서 질화갈륨 다이아몬드(GaN on Diamond) 웨이퍼 성능을 실현하고 질화갈륨 다이아몬드 트랜지스터 개발 완료를 공식화했다고 18일 밝혔다.


질화갈륨은 전 세계 반도체에서 제일 많이 사용하는 실리콘 소재보다 열전도율이 좋고 스위칭 속도가 빨라서 효율이 좋으며 전력소비량이 적다는 장점이 있다.


질화갈륨 효율을 극대화하기 위해 탄화규소(SiC) 기판을 많이 사용했는데 RFHIC 가 세계 최초로 大면적 상업용 다이아몬드 기판을 적용한 질화갈륨(GaN) on 다이아몬드 트랜지스터를 개발했다. 레이더, 기지국, 전기자동차, 의료장비, RF 에너지 등 높은 효율을 요구하는 여러 제품에 적용될 예정이다.


질화갈륨(GaN)-on-다이아몬드 트랜지스터는 기존 탄화규소 트랜지스터보다 열전도도는 4.5배, 전력밀도는 2배 이상 높다. 단위 길이(mm)당 22.5W의 출력을 구현하여 세계 최고 기록을 달성했다.


조삼열 RFHIC 회장은 “2020년부터 GaN on Diamond 트랜지스터를 대량 생산해 이를 5G 무선통신 및 국방분야, 더 나아가서 의료장비, RF에너지 시장에도 적용해 RF 마이크로웨이브 세계 최고 회사가 되도록 할 것”이라고 밝혔다. RFHIC 는 현재 GaN on 다이아몬드 관련 전 세계 66건의 특허를 보유하고 있다.


https://www.asiae.co.kr/article/2019061815091360042


Beq10-T1-Puw-K-h0-WRmg-ZRItbhy-NQL9a-PZz-Vh55-IIFBMz-G-YY6t-Ted-ROWyxi-GEDZ-7-GCK99u-Xaxy1i6-Y2-QQIs

대한민국의 숨겨진 전략 기업 RFHIC는 GaN 트랜지스터 점유율 세계 2위의 기업, 또한 GaN 전력 반도체 점유율 세계 1위인 미국 Cree의 유일한 생산 파트너이기도 하다. 화웨이와 삼성전자의 5G用 GaN 안테나의 소자 뿐만 아니라 Cree가 미국 국방기업에 납품하는 미국 해군 GaN 레이더用 소자 일부도 대한민국의 RFHIC가 제작한 것이 사용되고 있는.

https://www.cree.com/news-media/news/article/cree-announces-strategic-relationship-with-rfhic

http://rfhic.com/eng/app/slist.html?cidx=6

http://www.thelec.kr/news/articleView.html?idxno=5209

RFHIC는 또한 대한민국 육군 對포병 레이더 II의 C밴드 GaN 소자를 제조해 공급하고 있으며, FFX-B3의 GaN 역시 RFHIC가 제작해 공급한다. FFX-B3 이후 출시되는 KDDX는 RFHIC가 세계최초로 개발, 실용화 한 차세대 전력 반도체 GaN-on-Diamond를 채용할 예정.


대한민국의 레이더 기술력은 이미 쪽바리가 쳐다보기 어려운 곳까지 도달하고 있다. ^ ^





Models of two new integrated mast designs for South Korea"s Next-Generation Destroyer (KDDX) programme were shown by LIG Nex1 and Hanwha Defense at the MADEX show in Busan.


The separately developed designs incorporate a range of sensors - most prominently fixed X- and S-band multifunction radar arrays (MFRs) - and communications, electronic support measures, and electronic countermeasure system antennas within an enclosed mast structure.


Hanwha"s design is an evolution of the integrated mast developed for the Republic of Korea Navy"s (RoKN"s) FFX Batch III frigate programme, while LIG Nex1"s version is a clean sheet design.


Both MFR designs are based on Gallium Nitride (GaN) technologies, with using "GaN on Diamond" high electron mobility transistors.


https://www.janes.com/article/92130/madex-2019-integrated-mast-options-emerge-for-korea-s-kddx

원문보기

韓国企業, 世界唯一 GaN-on-Diamond 商業化成功







RFHIC, 世界最初 GaN ダイヤモンドトランジスター商業化…既存製品 4.5倍熱伝導

世界最初 大面積窒化ガリウム-ON-ダイヤモンド製造技術開発


コードレス通信装備用半導体専門企業 RFHICがアメリカボストンで開かれた "IEEE IMS"で窒化ガリウムダイヤモンド(GaN on Diamond) Wafer性能を実現して窒化ガリウムダイヤモンドトランジスター開発完了を公式化したと 18日明らかにした.


窒化ガリウムは全世界半導体で一番たくさん使うシリコーン素材より熱伝導率が良くてスイチング速度が早くて效率が良くて電力消費量が少ないという長所がある.


窒化ガリウム效率を極大化するために炭化誦素(SiC) 基板をたくさん使ったが RFHIC 街世界最初で 大面積商業用ダイヤモンド基板を適用した窒化ガリウム(GaN) on ダイヤモンドトランジスターを開発した. レーダー, 基地局, 電気自動車, 医療装備, RF エネルギーなど高い效率を要求する多くの製品に適用される予定だ.


窒化ガリウム(GaN)-on-ダイヤモンドトランジスターは既存炭化誦素トランジスターより熱伝導度は 4.5倍, 全力密度は 2倍以上高い. 単位長(mm)だ 22.5Wの出力を具現して世界最高記録を果たした.


ゾサムヨル RFHIC 会長は “2020年から GaN on Diamond トランジスターを大量生産してこれを 5G コードレス通信及び国防分野, 一歩進んで医療装備, RFエネルギー市場にも適用して RF マイクロウエーブ世界最高会社になるようにすること”と明らかにした. RFHIC 増えた現在 GaN on ダイヤモンド関連全世界 66件の特許を保有している.


https://www.asiae.co.kr/article/2019061815091360042


Beq10-T1-Puw-K-h0-WRmg-ZRItbhy-NQL9a-PZz-Vh55-IIFBMz-G-YY6t-Ted-ROWyxi-GEDZ-7-GCK99u-Xaxy1i6-Y2-QQIs

大韓民国の隠された戦略企業 RFHICは GaN トランジスターシェア世界 2位の企業, また GaN 全力半導体シェア世界 1位のアメリカ Creeの唯一の生産パートナーでもある. ファウェと三星電子の 5G用 GaN アンテナの素子だけでなく Creeがアメリカ国防企業に納品するアメリカ海軍 GaN レーダー用 素子一部も大韓民国の RFHICが製作したのが使われている.

https://www.cree.com/news-media/news/article/cree-announces-strategic-relationship-with-rfhic

http://rfhic.com/eng/app/slist.html?cidx=6

http://www.thelec.kr/news/articleView.html?idxno=5209

RFHICはまた大韓民国陸軍 対砲兵レーダー IIの Cバンド GaN 素子を製造して供給しているし, FFX-B3の GaN も RFHICが製作して供給する. FFX-B3 以後発売開始される KDDXは RFHICが世界最初で開発, 実用化一次世代全力半導体 GaN-on-Diamondを採用する予定.


大韓民国のレーダー技術力はもうチォックバリが眺めにくい所まで到逹している. ^ ^





Models of two new integrated mast designs for South Korea"s Next-Generation Destroyer (KDDX) programme were shown by LIG Nex1 and Hanwha Defense at the MADEX show in Busan.


The separately developed designs incorporate a range of sensors - most prominently fixed X- and S-band multifunction radar arrays (MFRs) - and communications, electronic support measures, and electronic countermeasure system antennas within an enclosed mast structure.


Hanwha"s design is an evolution of the integrated mast developed for the Republic of Korea Navy"s (RoKN"s) FFX Batch III frigate programme, while LIG Nex1"s version is a clean sheet design.


Both MFR designs are based on Gallium Nitride (GaN) technologies, with using "GaN on Diamond" high electron mobility transistors.


https://www.janes.com/article/92130/madex-2019-integrated-mast-options-emerge-for-korea-s-kddx

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댓글 ( 40 )

  • 10

    그래프를 보면 SUMITOMO가 60%를 차지해 1위같지만, 어떤 나라의 회사?w

    6년 전

  • 2

    Sumitomo는 시장에 선행 진입하고 민간용 낮은 세대 싸구려 물건을 팔아 점유율 1위를 가지고 있는 것일 뿐. 하지만, RFHIC는 미국 국방업계에도 진출하고 이미 기술력에서 쪽바리를 몇 세대나 넘고 있기 때문에. ^ ^

    6년 전

  • 10

    2015연 1월 16일 영Element Six사가 GaN-on-Diamond의 4 인치 웨이퍼를 샘플 출하 했다.

    6년 전

  • 10

    　미츠비시 전기는 2019년 9월 2일, 산업기술 종합 연구소(산업기술 종합연구소)와 공동으로, 방열 기판으로서 단결정 다이아몬드를 이용한 멀티 셀 구조의 GaN(질화 갈륨)-HEMT(고전자 이동도 트랜지스터)를 세계에서 처음으로(동사 조사해) 개발했다고 발표했다.

    6년 전

  • 10

    2017연 12월 7일 후지쯔 주식회사(이하, 후지쯔)와 주식회사 후지츠 연구소(주 1)(이하, 후지츠 연구소)는, 탄화 실리콘(SiC)(주 2) 기판에 단결정 다이아몬드를 상온으로 접합하는 기술을 세계에서 처음으로 개발했습니다.

    6년 전

  • 2

    그 영국의 Element Six를 인수한 것이 RFHIC. ^ ^ http://www.semiconductor-today.com/news_items/2017/mar/rfhic_080317.shtml

    6년 전

  • 2

    쪽바리의 GaN on Diamond 기술은 모두 실험실 단계에서, 아무것도 실용화에 도달할 수 없다. 쪽바리는 1인치 이상의 Diamond 웨이퍼 제작 기술이 없는. 한편, RFHIC는 4인치 이상의 Diamond 웨이퍼를 제작하고 상업화까지 성공하고 있다. 오직 대한민국의 RFHIC만이 달성한 일. ^ ^

    6년 전

  • 10

    ＞그 영국의 Element Six를 맡은 것이 RFHIC 영국인이 개발한 것을 자랑하고 있는 거야?www

    6년 전

  • 2

    그래서 쪽바리에게는 그 영국의 기술보다 더 좋은 기술이 있는지? 비참한 열등 족속. 웃음) 이미 電力반도체에서도 너등의 패배는 시작되었던. RFHIC는 새로운 삼성전자가 될 것이다. ^ ^

    6년 전

  • 3

    이제 와서 GaN-on-Diamond가 자랑인가.On-Diamond 자체는 기술적으로 특히 어려운 것은 아니지만, 결국, 이것으로는 GaN의 기판 코스트의 문제를 해소할 수 없는 것이 벌써 밝혀지고 있다.우선, 파워 반도체의 연구 개발의 동향을 스스로 조사해 보면 어떨까.

    6년 전

  • 2

    쪽바리는 어째서 개소리만 짖는 거야? 너등이 불가능하면 모두가 불가능한가? 웃음) ^ ^ https://rfhic.shoplic.store/a-high-power-gan-on-diamond-hemt-with-production-level-performance/

    6년 전

  • 2

    알고보면 5G 기술력도 그렇지만, 전력 반도체 기술력도 대한민국이 세계최고 수준이었던. 위대한 대한민국 ^ ^

    6년 전

  • 3

    본 대로, GaN-on-Diamond는 소형화와 고출력화를 위해서 불합리한 코스트를 허용 할 수 있는 용도 밖에 사용할 수 없다.게다가, 벌써 Ga2O3 반도체의 실용화가 보이고 있는 단계에서는 기술적인 발전성도 기대할 수 없다.많은 일본인에게는, 이제 이런 이야기를 내 무엇이 기쁜 것인지 이해할 수 없을 것이다.

    6년 전

  • 3

    기판 코스트가 Si의 수백배 정도인가, 적어도 GaN-on-Si에 가까운 수준에 억제되면, 새로운 용도나 기술적 전망도 열어 올지도 모르다.그러나, 현실에는, 차세대 소재의 반도체가 실용화 될 때까지, 기판 코스트의 문제가 해소할 가능성은 거의 없다.시장에서도, 향후 10년 정도는 GaN-on-Si가 큰폭으로 성장하는데 대하고, 용도가 극단적으로 한정되는 GaN-on-Diamond는 성장하지 않는다.이런 일은, 몇년전부터 벌써 알고 있었다.

    6년 전

  • 2

    다이아몬드 웨이퍼 大면적化 기술이 없는 패배자 쪽바리의 울부짖음이 재미있는. 하지만, 재미있게도 산화갈륨 반도체 역시 대한민국이 훨씬 앞서나가고 있구나. 웃음) 대한민국은 모든 종류의 반도체에 대해 압도적인 기술력을 보유한 선진국이다. ^ ^ ETRI, 세계 최고 수준 2300V에서도 견디는 산화갈륨 칩 개발 성공 ETRI 연구진이 공정이 완료된 산화갈륨 전력 반도체 on-웨이퍼를 측정하는 모습(사진=ETRI) 한국전자통신연구원(ETRI)은 ‘산화갈륨(Ga203)’을 이용해 2300볼트의 고전압을 견디는 전력 반도체 트랜지스터 ‘모스펫(MOSFET)’을 개발했다고 15일 밝혔다. 모스펫은 현재 연구용 개발 단계에서 ‘0.2mm x 0.4mm’ 수준 크기다. 2320볼트 전류에서도 반도체의 성질을 잃지 않는다. 지금까지 반도체가 성질을 유지하면서 견딜 수 있는 세계 최고 전압은 미국 버팔로 대학의 1850 볼트 전력소자가 기록했다. 그러나 모스펫은 이보다 저항을 50%로 낮추고 전압도 25% 높였다. ETRI 연구진은 실리콘, 질환갈륨, 탄화규소와 같은 반도체 물질인 산화갈륨을 사용해 반도체에 들어가는 모스펫을 구성했다. 산화갈륨은 고온, 고전압 환경과 소형화 시에도 반도체 성질을 유지해 차세대 전력 반도체 소자로 떠오르는 소재다. 다만, 산화갈륨은 전기 전도도가 떨어진다는 단점이 있다. 연구진은 전자가 지나는 길을 최적화하기 위해 전극 디자인을 변경하고 반절연체 기판을 사용하는 방법으로 전기 전도도 저하 문제를 해결했다. ETRI는 모스펫을 이용해 만든 반도체를 고전압용 전자제품 등에 내장하면 전력 효율성을 높일 수 있을 것으로 기대했다. 전기차, 풍력발전, 기관차 등 고전압·고전력이 필요한 곳에 사용할 수 있다. ETRI는 모스펫의 상용화를 위해 현재 표준 크기 칩보다 작은 형태로 제작할 계획이다. 이에 따라 생산량도 기존 칩보다 2~3배 증가할 것으로 예상된다. 상용화까지 걸리는 기간은 약 5년 정도다. 문재경 ETRI 전력 부품 연구 그룹 박사는 "세계 최초 산화갈륨 전력 반도체 상용화를 목표로 고전압·대류용 대면적 소자 기술 개발 연구를 추가로 진행할 예정"이라고 말했다. https://news.g-enews.com/ko-kr/news/article/news_all/2019051518140549750bf3fa6eb9_1/article.html?md=20190517165947_R

    6년 전

  • 3

    Afgd > 파워 반도체의 동향도 이해할 수 없는 정보 약자다.매회, 믿고 싶은 정보만을 찾아내고, 그것들을 늘어놓고 기뻐한다.언제나 같은 패턴이 아닌가.

    6년 전

  • 3

    그럼, 이 사이즈의 GaN-on-Diamond의 어디가 기술적으로 어렵다고 생각하는지, 구체적으로 설명해 봐.그것도 모르는데, 세계 최고의 기술이라고 믿고 있는지?하는 김에, 일본의 Ga2O3 반도체의 개발 상황도 조사해 보면 좋다.

    6년 전

  • 2

    [한국과 일본의 기술개발 차이] 한국 : 판매로 인한 수익과 경제성이 있는 사업을 진행 일본 : 경제성 없는 비싼 가격, 국가의 보조금이 없으면 지속 불가능한 NIPPON SUGOI 오나니

    6년 전

  • 3

    ollo > GaN-on-Diamond의 오모적화는, 그 어느 쪽으로 해당한다고 생각할까?지금, 한국 분이 보조금과 공적 구제의 천국이 아닌가.

    6년 전

  • 2

    elpida, jdi, mrj, cool jap 국책 세금 낭비 세계 최고의 실패 국가 쪽바리가 무엇을 울부 짖는지 모른다. ^ ^

    6년 전

  • 3

    Afgd > 이 사이즈의 GaN-on-Diamond의 어디가 기술적으로 어려운 것인지 설명할 수 없는데 재등장했는지?우선, ollo 이전의 문제를 제대로 해결하고 나서, 다음의 이야기를 해 줘.

    6년 전

  • 3

    한국의 핵융합노는 세계 최고.한국의 방역 체제는 선진국.한국의 파워 반도체는 세계 최첨단.매회, 재료가 바뀌는 것만으로 말하는 것은 같다.그리고, 결말도 같다.

    6년 전

  • 2

    다시 한 번 단언하지만 나는 ollo가 아니다. 그리고 너의 빈 두개골 속에서 나온 의문점을 해결하려면 미쓰비시, 후지쯔에 문의하는 것이 더 빠를 것이다. 너등 쪽바리 기술력이 얼마나 열등한지 깨닫게 될 거야. ^ ^

    6년 전

  • 3

    나는 Afgd=ollo와는 한마디도 말하지 않았는데, 왜 그러한 이야기가 되는 것인가.알기 쉬운 놈이다.이 사이즈의 GaN-on-Diamond 의 어디가 기술적으로 어려운 것인지?너자신의 알기 쉬운 설명을 기다리고 있다.한국의 기술력의 굉장함을 가르쳐 줘.

    6년 전

  • 2

    saili는 나의 질문에 대답할 수 있을까? 4인치 이상의 다이아몬드 웨이퍼를 제조할 수 있는 기술이 어째서 쪽바리에게는 없고 대한민국에는 있는가? 어째서 쪽바리가 아닌 대한민국이 세계 최초의 초과 전력 자석 자기장 핵융합 기술로 만들어진 핵융합 토카막을 개발하고 ITER를 주도하고 있는가? 대답해보도록.

    6년 전

  • 3

    이것도 언제나 대로의 패턴.핵융합노에서는 Fusion Power라고 하는 기술을 믿어 파워 반도체에서는 첫 상업화라는 말을 믿어 그야말로가 최고의 기술력의 증거라고 믿어 버린다.나에게 그 관련이 추궁 당하고, 스스로 설명할 수 없게 된다고 질문을 돌려준다.

    6년 전

  • 2

    어째서 나의 질문에 대답할 수 없다? 4인치 이상 큰 면적 다이아몬드 웨이퍼 제조기술은 세계에 오직 대한민국의 RFHIC가 보유하고 있다.

    6년 전

  • 2

    대한민국의 KSTAR는 세계최초의 Superconductor Tokamak에서 ITER의 롤모델이며 한국인과 한국 기업이 주요 파트의 건설을 주도하고 있다.

    6년 전

  • 3

    그래서, 일본 기업에 있어서는, 그 사이즈의 GaN-on-Diamond의 어디가 기술적으로 어려운 것인지?

    6년 전

  • 2

    아래 본좌가 작성한 코멘트는 Fact. 따라서 쪽바리 기업들의 GaN on Diamond는 연구실 밖으로 나올 수 없다. 쪽바리는 뒤늦게 유럽의 기술을 구걸하고 Superconductor Tokamak을 건설하고 있지만 크게 주회지연하고 있다. 나의 인식에 틀림이 있는가? ^ ^

    6년 전

  • 3

    너는 GaN-on-Diamond의 제조 공정을 이해하고 있을까?거의 모를 것이다.만약 알고 있으면, 이런 주장의 방법은 하지 않는다.파워 반도체 관련의 논문은 증가하고 있기 때문에 읽어 보면 좋다.

    6년 전

  • 3

    어느쪽이나 올바르지 않은데.

    6년 전

  • 2

    그리고 RFHIC는 세계최초로 GaN on 다이아몬드를 상용화했지만 쪽바리 기업들은 여전히 실험실 수준에서 주회지연하고 있구나. 대답을 잘했다. ^ ^

    6년 전

  • 3

    상업화와 기술력의 관련을 알 수 있도록(듯이), 그 사이즈의 GaN-on-Diamond의 어디가 기술적으로 어려운 것인지를 설명해 줘.나는 그것 밖에 (듣)묻지 않았다.

    6년 전

  • 2

    나의 인식은 확실한 사실에 기반하고 있으니까 완벽한. 너등의 전문가나 기술자들에게 문의해 보아라. 이미 그들은 너등 쪽바리 언론에 반도체와 5G에서 대한민국에 열등감과 패배감을 발산하고 있는 거야. 대한민국이 주도권을 가진 Superconductor Tokamak 기술 역시 마찬가지다. ^ ^

    6년 전

  • 3

    변함 없이, 아무것도 설명도 할 수 없는데.GaN-on-Diamond의 제조 기술의 요점은, GaN와 Diamond 기판과의 접합에 있다.우선은, 여기서의 기술을 비교하면 좋다.다음에, GaN-on-Diamond의 성능은, 주파수로 출력에 의해서 평가된다.이것이 GaN-on-Sic나 GaN-on-Si로 실현 가능한 범위에 머무르는 동안은, GaN-on-Diamond의 기판 코스트가 문제가 되어, 그 우위성은 거의 발휘되지 않는다.그 때문에, 선행해 상업화해도 시장은 한정된다.이것이 현실이다.

    6년 전

  • 3

    덧붙여서, 아래로 거론되고 있는 미츠비시 전기의 GaN-HEMT도 4inch wafer를 이용해 제작되고 있다.그러나, 미츠비시 전기에 의한 발표의 주지는, wafer의 사이즈가 아니고, 그 위에 제작된 multicell chip의 구조와 그 출력 성능이었다.

    6년 전

  • 2

    후지쯔가 실험실에서 만든 GaN on Diamond의 mm per 최대 output은 19W 수준에서 RFHIC의 상용 제품은 22W. GaN device로서 이보다 강력한 출력은 없다. 이미 대한민국은 GaN에서 세계최고 레벨에 도달, 산화갈륨 역시 세계최고의 전압 수치를 달성하고 2022년 안에 실용화 예정. 무엇을 떠들어도 대한민국의 파워 반도체와 레이더 기술은 이제 쪽바리를 1세대 이상 앞서 있다. 이것은 부정할 수 없는 Fact. ^ ^

    6년 전

  • 3

    「4inch wafer는 그 밖에 없다」라고 했는데 , 이번은 「더 이상의 출력은 그 밖에 없다」라고 주장하는 것인가.이런 경우, 우선 RF의 주파수를 명확하게 하고 나서 비교하자.덧붙여서, 미츠비시 전기는 30 W수준이라든가 말한다.이 정도의 차이는 별로 의미가 없다.

    6년 전

  • 3

    원래, RFHIC 자체가 파워 반도체 업계에서는 주요 기업은 아니다.GaN RF분야에 한해서도, RFHIC의 글로벌인 지위는 크다고는 말할 수 없다.그러니까, Cree에의 공급이나 RF Sub-Modules나 CATV line amplifier로 사업을 실시하고 있다.그러한 의미로, Element Six로부터 기술 제공을 받은 후의 GaN-on-Diamond의 상품화는, 그들 나름대로 선행자로서의 리스크를 각오한 후의 도전이라고 할 수 있다.이것을 독자적인 기술력이라고 평가해, 세계 최고라든지 주장하고 있는 시점에서, 업계를 전혀 이해하고 있지 않는 것을 안다.

    6년 전

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