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韓国企業, 世界唯一 GaN-on-Diamond 商業化成功

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RFHIC, 世界最初 GaN ダイヤモンドトランジスター商業化…既存製品 4.5倍熱伝導

世界最初 大面積窒化ガリウム-ON-ダイヤモンド製造技術開発


コードレス通信装備用半導体専門企業 RFHICがアメリカボストンで開かれた "IEEE IMS"で窒化ガリウムダイヤモンド(GaN on Diamond) Wafer性能を実現して窒化ガリウムダイヤモンドトランジスター開発完了を公式化したと 18日明らかにした.


窒化ガリウムは全世界半導体で一番たくさん使うシリコーン素材より熱伝導率が良くてスイチング速度が早くて效率が良くて電力消費量が少ないという長所がある.


窒化ガリウム效率を極大化するために炭化誦素(SiC) 基板をたくさん使ったが RFHIC 街世界最初で 大面積商業用ダイヤモンド基板を適用した窒化ガリウム(GaN) on ダイヤモンドトランジスターを開発した. レーダー, 基地局, 電気自動車, 医療装備, RF エネルギーなど高い效率を要求する多くの製品に適用される予定だ.


窒化ガリウム(GaN)-on-ダイヤモンドトランジスターは既存炭化誦素トランジスターより熱伝導度は 4.5倍, 全力密度は 2倍以上高い. 単位長(mm)だ 22.5Wの出力を具現して世界最高記録を果たした.


ゾサムヨル RFHIC 会長は “2020年から GaN on Diamond トランジスターを大量生産してこれを 5G コードレス通信及び国防分野, 一歩進んで医療装備, RFエネルギー市場にも適用して RF マイクロウエーブ世界最高会社になるようにすること”と明らかにした. RFHIC 増えた現在 GaN on ダイヤモンド関連全世界 66件の特許を保有している.


https://www.asiae.co.kr/article/2019061815091360042


Beq10-T1-Puw-K-h0-WRmg-ZRItbhy-NQL9a-PZz-Vh55-IIFBMz-G-YY6t-Ted-ROWyxi-GEDZ-7-GCK99u-Xaxy1i6-Y2-QQIs

大韓民国の隠された戦略企業 RFHICは GaN トランジスターシェア世界 2位の企業, また GaN 全力半導体シェア世界 1位のアメリカ Creeの唯一の生産パートナーでもある. ファウェと三星電子の 5G用 GaN アンテナの素子だけでなく Creeがアメリカ国防企業に納品するアメリカ海軍 GaN レーダー用 素子一部も大韓民国の RFHICが製作したのが使われている.

https://www.cree.com/news-media/news/article/cree-announces-strategic-relationship-with-rfhic

http://rfhic.com/eng/app/slist.html?cidx=6

http://www.thelec.kr/news/articleView.html?idxno=5209

RFHICはまた大韓民国陸軍 対砲兵レーダー IIの Cバンド GaN 素子を製造して供給しているし, FFX-B3の GaN も RFHICが製作して供給する. FFX-B3 以後発売開始される KDDXは RFHICが世界最初で開発, 実用化一次世代全力半導体 GaN-on-Diamondを採用する予定.


大韓民国のレーダー技術力はもうチォックバリが眺めにくい所まで到逹している. ^ ^





Models of two new integrated mast designs for South Korea"s Next-Generation Destroyer (KDDX) programme were shown by LIG Nex1 and Hanwha Defense at the MADEX show in Busan.


The separately developed designs incorporate a range of sensors - most prominently fixed X- and S-band multifunction radar arrays (MFRs) - and communications, electronic support measures, and electronic countermeasure system antennas within an enclosed mast structure.


Hanwha"s design is an evolution of the integrated mast developed for the Republic of Korea Navy"s (RoKN"s) FFX Batch III frigate programme, while LIG Nex1"s version is a clean sheet design.


Both MFR designs are based on Gallium Nitride (GaN) technologies, with using "GaN on Diamond" high electron mobility transistors.


https://www.janes.com/article/92130/madex-2019-integrated-mast-options-emerge-for-korea-s-kddx

翻訳を見る

한국 기업, 세계 유일 GaN-on-Diamond 상업화 성공







RFHIC, 세계 최초 GaN 다이아몬드 트랜지스터 상업화…기존 제품 4.5배 열전도

세계최초 大면적 질화갈륨-ON-다이아몬드 제조 기술 개발


무선통신 장비용 반도체 전문기업 RFHIC가 미국 보스턴에서 열린 "IEEE IMS"에서 질화갈륨 다이아몬드(GaN on Diamond) 웨이퍼 성능을 실현하고 질화갈륨 다이아몬드 트랜지스터 개발 완료를 공식화했다고 18일 밝혔다.


질화갈륨은 전 세계 반도체에서 제일 많이 사용하는 실리콘 소재보다 열전도율이 좋고 스위칭 속도가 빨라서 효율이 좋으며 전력소비량이 적다는 장점이 있다.


질화갈륨 효율을 극대화하기 위해 탄화규소(SiC) 기판을 많이 사용했는데 RFHIC 가 세계 최초로 大면적 상업용 다이아몬드 기판을 적용한 질화갈륨(GaN) on 다이아몬드 트랜지스터를 개발했다. 레이더, 기지국, 전기자동차, 의료장비, RF 에너지 등 높은 효율을 요구하는 여러 제품에 적용될 예정이다.


질화갈륨(GaN)-on-다이아몬드 트랜지스터는 기존 탄화규소 트랜지스터보다 열전도도는 4.5배, 전력밀도는 2배 이상 높다. 단위 길이(mm)당 22.5W의 출력을 구현하여 세계 최고 기록을 달성했다.


조삼열 RFHIC 회장은 “2020년부터 GaN on Diamond 트랜지스터를 대량 생산해 이를 5G 무선통신 및 국방분야, 더 나아가서 의료장비, RF에너지 시장에도 적용해 RF 마이크로웨이브 세계 최고 회사가 되도록 할 것”이라고 밝혔다. RFHIC 는 현재 GaN on 다이아몬드 관련 전 세계 66건의 특허를 보유하고 있다.


https://www.asiae.co.kr/article/2019061815091360042


Beq10-T1-Puw-K-h0-WRmg-ZRItbhy-NQL9a-PZz-Vh55-IIFBMz-G-YY6t-Ted-ROWyxi-GEDZ-7-GCK99u-Xaxy1i6-Y2-QQIs

대한민국의 숨겨진 전략 기업 RFHIC는 GaN 트랜지스터 점유율 세계 2위의 기업, 또한 GaN 전력 반도체 점유율 세계 1위인 미국 Cree의 유일한 생산 파트너이기도 하다. 화웨이와 삼성전자의 5G用 GaN 안테나의 소자 뿐만 아니라 Cree가 미국 국방기업에 납품하는 미국 해군 GaN 레이더用 소자 일부도 대한민국의 RFHIC가 제작한 것이 사용되고 있는.

https://www.cree.com/news-media/news/article/cree-announces-strategic-relationship-with-rfhic

http://rfhic.com/eng/app/slist.html?cidx=6

http://www.thelec.kr/news/articleView.html?idxno=5209

RFHIC는 또한 대한민국 육군 對포병 레이더 II의 C밴드 GaN 소자를 제조해 공급하고 있으며, FFX-B3의 GaN 역시 RFHIC가 제작해 공급한다. FFX-B3 이후 출시되는 KDDX는 RFHIC가 세계최초로 개발, 실용화 한 차세대 전력 반도체 GaN-on-Diamond를 채용할 예정.


대한민국의 레이더 기술력은 이미 쪽바리가 쳐다보기 어려운 곳까지 도달하고 있다. ^ ^





Models of two new integrated mast designs for South Korea"s Next-Generation Destroyer (KDDX) programme were shown by LIG Nex1 and Hanwha Defense at the MADEX show in Busan.


The separately developed designs incorporate a range of sensors - most prominently fixed X- and S-band multifunction radar arrays (MFRs) - and communications, electronic support measures, and electronic countermeasure system antennas within an enclosed mast structure.


Hanwha"s design is an evolution of the integrated mast developed for the Republic of Korea Navy"s (RoKN"s) FFX Batch III frigate programme, while LIG Nex1"s version is a clean sheet design.


Both MFR designs are based on Gallium Nitride (GaN) technologies, with using "GaN on Diamond" high electron mobility transistors.


https://www.janes.com/article/92130/madex-2019-integrated-mast-options-emerge-for-korea-s-kddx

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コメント ( 40 )

  • 10

    グラフを見るとSUMITOMOが60％を占めて1位のようだが、どこの国の会社❓ｗ

    6年前

  • 2

    Sumitomoは市場に先行進入して民間用低い世代安いね品物を売ってシェア 1位を持っているのであるだけ. しかし, RFHICはアメリカ国防業界にも進出してもう技術力でチォックバリを何世代も超えているから. ^ ^

    6年前

  • 10

    2015年1月16日 英Element Six社がGaN-on-Diamondの4インチウェーハをサンプル出荷した。

    6年前

  • 10

    　三菱電機は2019年9月2日、産業技術総合研究所（産総研）と共同で、放熱基板として単結晶ダイヤモンドを用いたマルチセル構造のGaN（窒化ガリウム）-HEMT（高電子移動度トランジスタ）を世界で初めて（同社調べ）開発したと発表した。

    6年前

  • 10

    2017年12月7日 富士通株式会社（以下、富士通）と株式会社富士通研究所（注1）（以下、富士通研究所）は、炭化シリコン（SiC）（注2）基板に単結晶ダイヤモンドを常温で接合する技術を世界で初めて開発しました。

    6年前

  • 2

    そのイギリスの Element Sixを引き受けたのが RFHIC. ^ ^ http://www.semiconductor-today.com/news_items/2017/mar/rfhic_080317.shtml

    6年前

  • 2

    チォックバリの GaN on Diamond 技術は皆実験室段階で, 何も実用化に到逹することができない. チォックバリは 1インチ以上の Diamond Wafer製作技術がない. 一方, RFHICは 4インチ以上の Diamond Waferを製作して商業化まで成功している. ただ大韓民国の RFHICだけが果たした事. ^ ^

    6年前

  • 10

    ＞そのイギリスの Element Sixを引き受けたのが RFHIC イギリス人が開発した物を自慢してるのか？ｗｗｗ

    6年前

  • 2

    それでチォックバリにはそのイギリスの技術よりもっと良い技術があるのか? 惨めな劣等族属. 笑い) もう 電力半導体でもお前等の敗北は始まった. RFHICは新しい三星電子になるでしょう. ^ ^

    6年前

  • 3

    いまさらGaN-on-Diamondが自慢なのか。On-Diamond自体は技術的に特に難しいわけではないが、結局、これではGaNの基板コストの問題を解消できないことがすでに明らかになっている。まず、パワー半導体の研究開発の動向を自分で調べてみればどうか。

    6年前

  • 2

    チォックバリはどうして馬鹿話だけほえるか? お前等が不可能ならば皆が不可能なのか? 笑い) ^ ^ https://rfhic.shoplic.store/a-high-power-gan-on-diamond-hemt-with-production-level-performance/

    6年前

  • 2

    分かってみれば 5G 技術力もそうだが, 全力半導体技術力も大韓民国が世界最高水準だった. 偉い大韓民国 ^ ^

    6年前

  • 3

    見ての通り、GaN-on-Diamondは小型化と高出力化のために法外なコストを許容できる用途しか使えない。しかも、すでにGa2O3半導体の実用化が見えている段階では技術的な発展性も期待できない。多くの日本人には、いまごろこんな話を出して何が嬉しいのか理解できないだろう。

    6年前

  • 3

    基板コストがSiの数百倍程度か、少なくともGaN-on-Siに近い水準に抑えられれば、新たな用途や技術的展望も開けてくるかも知れない。しかし、現実には、次世代素材の半導体が実用化されるまでに、基板コストの問題が解消する可能性はほとんどない。市場でも、今後10年ほどはGaN-on-Siが大幅に伸びるのに対して、用途が極端に限られるGaN-on-Diamondは伸びない。こんなことは、数年前からすでに分かっていた。

    6年前

  • 2

    ダイヤモンドWafer 大面積化 技術がない敗北者チォックバリの泣き叫ぶことが面白い. しかし, 面白くも酸化ガリウム半導体も大韓民国がずっと先に進んで行っているね. 笑い) 大韓民国はすべての種類の半導体に対して圧倒的な技術力を保有した先進国だ. ^ ^ ETRI, 世界最高水準 2300Vでも耐える酸化ガリウムチップ開発成功 ETRI 研究陣が公正が完了した酸化ガリウム全力半導体 on-Waferを測定する姿(写真=ETRI) 韓国電子通信研救援(ETRI)は ‘酸化ガリウム(Ga203)’を利用して 2300ボルトの高電圧を耐える全力半導体トランジスター ‘モスペッ(MOSFET)’を開発したと 15日明らかにした. モスペッは現在研究用開発段階から ‘0.2mm x 0.4mm’ 水準大きさだ. 2320ボルト電流でも半導体の性質を失わない. 今まで半導体が性質を維持しながら耐えることができる世界最で電圧はアメリカバッファロー大学の 1850 ボルト電力素子が記録した. しかしモスペッはこれより抵抗を 50%で低めて電圧も 25% 高めた. ETRI 研究陣はシリコーン, 疾患ガリウム, 炭化誦素のような半導体物質である酸化ガリウムを使って半導体に入って行くモスペッを構成した. 酸化ガリウムは高温, 高電圧環境と小型化時にも半導体性質を維持して次世代全力半導体素子に浮び上がる素材だ. ただ, 酸化ガリウムは電気前途島が下がるという短所がある. 研究陣は電子が経つ汲む最適化するために電極デザインを変更して半切延滞基板を使う方法で電気前途も低下問題を解決した. ETRIはモスペッを利用して作った半導体を高電圧用電子製品などに内蔵すれば電力效率性を高めることができることで期待した. 電気車, 風力発電, 機関車など高電圧・古典力が必要な所に使うことができる. ETRIはモスペッの商用化のために現在標準大きさチップより小さな形態で製作する計画だ. これによって生産量も既存チップより 2‾3倍増加することと予想される. 商用化までかかる期間は約 5年位だ. 文才頃 ETRI 全力部品研究グループ博士は "世界最初酸化ガリウム全力半導体商用化を目標で高電圧・対流用対面的素子技術開発研究を追加で進行する予定"と言った. https://news.g-enews.com/ko-kr/news/article/news_all/2019051518140549750bf3fa6eb9_1/article.html?md=20190517165947_R

    6年前

  • 3

    Afgd > パワー半導体の動向も理解できない情報弱者だな。毎回、信じたい情報だけを探し出して、それらを並べて喜ぶ。いつも同じパターンではないか。

    6年前

  • 3

    では、このサイズのGaN-on-Diamondのどこが技術的に難しいと思うか、具体的に説明してごらん。それも分からないのに、世界最高の技術と信じているのか？ついでに、日本のGa2O3半導体の開発状況も調べてみればよい。

    6年前

  • 2

    [韓国と日本の技術開発差] 韓国 : 販売による収益と経済性がある事業を進行 日本 : 経済性ない高い価格, 国家の補助金がなければ長続き不可能な NIPPON SUGOI オナニー

    6年前

  • 3

    ollo > GaN-on-Diamondの大面積化は、そのどちらに該当すると思うか？いまや、韓国の方が補助金と公的救済の天国ではないか。

    6年前

  • 2

    elpida, jdi, mrj, cool jap 国策税金無駄使い世界最高の失敗国家チォックバリが何を泣き叫ぶか知れない. ^ ^

    6年前

  • 3

    Afgd > このサイズのGaN-on-Diamondのどこが技術的に難しいのか説明できないのに再登場したのか？まず、ollo以前の問題をちゃんと解決してから、次の話をしてくれ。

    6年前

  • 3

    韓国の核融合炉は世界最高。韓国の防疫体制は先進国。韓国のパワー半導体は世界最先端。毎回、ネタが変わるだけで言うことは同じ。そして、結末も同じ。

    6年前

  • 2

    もう一度言い切るが私は olloではない. そしてお前の空の頭蓋骨の中から出た疑点を解決しようとすれば三菱, 富士通に問い合わせるのがもっと早いだろう. お前等チォックバリ技術力がいくら劣等か悟るようになるはずだ. ^ ^

    6年前

  • 3

    私はAfgd=olloとは一言も言っていないのに、なぜそういう話になるのか。分かりやすい奴だな。このサイズのGaN-on-Diamond のどこが技術的に難しいのか？君自身の分かりやすい説明を待っている。韓国の技術力の凄さを教えてくれ。

    6年前

  • 2

    sailiは私の質問に答えることができるか? 4インチ以上のダイヤモンドWaferを製造することができる技術がどうしてチォックバリにはなくて大韓民国にはあるか? どうしてチォックバリではない大韓民国が世界最初の超過全力磁石磁場核融合技術で作られた核融合トカマックを開発して ITERを主導しているか? 答えて見るように.

    6年前

  • 3

    これもいつも通りのパターン。核融合炉ではFusion Powerという記述を信じ、パワー半導体では初の商業化という言葉を信じ、それこそが最高の技術力の証だと思い込む。私にその関連を問われて、自分で説明できなくなると質問を返す。

    6年前

  • 2

    どうして私の質問に答えることができない? 4インチ以上大きい面積ダイヤモンドWafer製造技術は世界にただ大韓民国の RFHICが保有している.

    6年前

  • 2

    大韓民国の KSTARは世界最初の Superconductor Tokamakで ITERのロ−ルモデルで韓国人と韓国企業が主要パートの建設を主導している.

    6年前

  • 3

    それで、日本企業にとっては、そのサイズのGaN-on-Diamondのどこが技術的に難しいのか？

    6年前

  • 2

    下のボンズァの作成したコメントは Fact. したがってチォックバリ企業らの GaN on Diamondは研究室外に出ることができない. チォックバリは一歩遅れてヨーロッパの技術を物乞いして Superconductor Tokamakを建設しているが大きく周回引き延ばししている. 私の認識に違うことがあるか? ^ ^

    6年前

  • 3

    君はGaN-on-Diamondの製造工程を理解しているか？ほとんど分かっていないだろう。もし分かっていれば、こういう主張の仕方はしない。パワー半導体関連の論文は増えているから読んでみるとよい。

    6年前

  • 3

    どちらも正しくないな。

    6年前

  • 2

    そして RFHICは世界最初で GaN on ダイヤモンドを常用化したがチォックバリ企業らは相変らず実験室水準で周回引き延ばししているね. 返事がお上手だった. ^ ^

    6年前

  • 3

    商業化と技術力の関連が分かるように、そのサイズのGaN-on-Diamondのどこが技術的に難しいのかを説明してくれ。私はそれしか聞いていない。

    6年前

  • 2

    私の認識は確かな事実に基盤しているから完璧な. お前等の専門家や技術者たちに問い合わせて見なさい. もう彼らはお前等チォックバリ言論に半導体と 5Gで大韓民国に劣等感と敗北感を発散していることだ. 大韓民国が主導権を持った Superconductor Tokamak 技術も同じだ. ^ ^

    6年前

  • 3

    相変わらず、何も説明もできないな。GaN-on-Diamondの製造技術の要は、GaNとDiamond基板との接合にある。まずは、ここでの技術を比較すればよい。次に、GaN-on-Diamondの性能は、周波数と出力によって評価される。これがGaN-on-SicやGaN-on-Siで実現可能な範囲にとどまる間は、GaN-on-Diamondの基板コストが問題となり、その優位性はほとんど発揮されない。そのため、先行して商業化しても市場は限られる。これが現実だ。

    6年前

  • 3

    ちなみに、下に挙げられている三菱電機のGaN-HEMTも4inch waferを用いて作製されている。しかし、三菱電機による発表の主旨は、waferのサイズではなく、その上に作製されたmulticell chipの構造とその出力性能だった。

    6年前

  • 2

    富士通が実験室で作った GaN on Diamondの mm per 最大 outputは 19W 水準で RFHICの常用製品は 22W. GaN deviceとしてこれより力強い出力はない. もう大韓民国は GaNで世界最高レベルに到達, 酸化ガリウムも世界最高の電圧数値を果たして 2022年の内に実用化予定. 何を騷いでも大韓民国のパワー半導体とレーダー技術はこれからチォックバリを 1世代以上先に進んでいる. これは否定することができない Fact. ^ ^

    6年前

  • 3

    「4inch waferは他にない」と言っていたのに、今度は「これ以上の出力は他にない」と主張するのか。こういう場合、まずRFの周波数を明かにしてから比較しよう。ちなみに、三菱電機は30W水準とか言っている。この程度の差はあまり意味がない。

    6年前

  • 3

    そもそも、 RFHIC自体がパワー半導体業界では主要企業ではない。GaN RF分野に限っても、 RFHICのグローバルな地位は大きいとは言えない。だから、Creeへの供給やRF Sub-ModulesやCATV line amplifierで事業を行っている。そういう意味で、Element Sixから技術提供を受けたうえでのGaN-on-Diamondの商品化は、彼らなりに先行者としてのリスクを覚悟したうえでの挑戦といえる。これを独自の技術力と評価し、世界最高とか主張している時点で、業界のことを全く理解していないことが分かる。

    6年前

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